介質損耗角正切(或稱介質損耗因數)通常用tanδ表示。測量tanδ值可以反映出絕緣介質損耗的大小。良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內部有缺陷,特別是存在氣隙,則 tanδ將隨電壓的升高呈現明顯轉折,如圖所示。
tanδ與電壓的關系曲線
溫度對 tanδ的影響程度隨材料、結構的不同而異。一般情況下,tanδ隨溫度上升而增加。為便于比較,應將不同溫度下的tanδ值換算至20℃。應當指出,由于被試品的溫度換算系數不是十分符合實際,換算后往往誤差較大。因此,盡量在同
一溫度或10~30℃溫度范圍內測量。
良好絕緣的 tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內部有缺陷,則tan8將隨電壓的升高而明顯增加,tan6與電壓的關系典型曲線如圖所示。
tanδ與電壓的關系典型曲線
1-絕緣良好的情況 2-絕緣老化的情況 3-絕緣中存在氣隙的情況 4-絕緣受潮的情況
對電容量較小的設備(套管、互感器、耦合電容器等),測量 tanδ能有效地發現局部集中性和整體分布性缺陷。但對電容量較大的設備(變壓器、電力電纜等),測量 tanδ只能發現整體分布性缺陷,如存在局部集中性缺陷,由于其引起的損耗僅占總損耗的很小一部分而被掩蓋。換言之,tanδ發現缺陷的靈敏程度是由缺陷部分的體積占總體積的百分比決定的。
(1)與規程規定注意值(或警示值)比較。
(2)與歷史數據比較,有時即使數據沒有超標,但有明顯增長趨勢,也應引起注意。此時,可增加試驗項目,以便對試品進行綜合分析。
(3)與同類設備比較,數據不應有明顯差異。
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